Samsung память DRAM HBM2 ёмкостью 8 Гбайт от компании Samsung

24 июля 2017

Компания Samsung Electronics, объявила об увеличении объемов производства 8-гигабайтной (ГБ) памяти High Bandwidth Memory-2 (HBM2)


Память 8 ГБ HBM2 от Samsung обеспечивает максимальный в отрасли уровень производительности, надежности и энергоэффективности на основе технологии HBM2, что лишний раз подчеркивает стремление компании к инновациям в сфере DRAM. Помимо технологий HBM2 и TSV (Through Silicon Via), которые были использованы в этом новейшем решении DRAM, более 850 технологий уже запатентованы или на них уже поданы патентные заявки.

Память 8 ГБ HBM2 состоит из восьми 8-гигабитных (Гб) кристаллов HBM2 и буферного кристалла внизу стека, которые вертикально соединены между собой с помощью технологии TSV и микровыступов. Каждый кристалл включает более чем 5000 отверстий TSV, в результате чего один пакет 8 ГБ HBM2 от Samsung имеет более 40 000 отверстий по технологии TSV. Использование такого большого количества отверстий TSV, включая запасные, обеспечивает высокую производительность, так как появляется возможность перенаправлять потоки данных на другие отверстия TSV в случае задержек в передаче данных. Архитектура HBM2 также позволяет избежать нагрева свыше определенной температуры, что обеспечивает высокую надежность.

Технология HBM2, впервые представленная в июне 2016 года, обеспечивает скорость передачи данных 256 ГБ/с, что более чем в восемь раз превосходит показатели чипа DRAM GDDR5 (32 ГБ/с). Имея емкость, которая в два раза превышает емкость памяти 4 ГБ HBM2, решение 8 ГБ значительно повышает производительность и энергоэффективность системы. Благодаря этому такое решение становится идеальным вариантом модернизации для задач с высокопроизводительными вычислениями на основе больших объемов данных, которые требуются для машинного самообучения, параллельных вычислений и обработки графики.

Удовлетворяя растущий рыночный спрос, компания Samsung прогнозирует, что серийное производство памяти 8 ГБ HBM2 позволит покрыть более чем 50 % производства HBM2 к первой половине следующего года.


Источник: Samsung Electronics

Оставить комментарий