Новая технология корпусирования TRENCHSTOP™ Advanced Isolation для дискретных IGBT транзисторов

19 мая 2017

Компания Infineon Technologies представила новую технологию корпусирования TRENCHSTOPTM Advanced Isolation.


Она доступна для IGBT транзисторов TRENCHSTOP и  TRENCHSTOP Highspeed 3 и обеспечивает лучшие в своем классе тепловые характеристик и удешевление производства. Обе версии оптимизированы по характеристикам для замены полностью изолированных дискретных корпусов FullPAK, а так же стандартных TO-247 c изоляцией посредством пленочных изоляционных материалов (теплопроводящих прокладок).  Области применения новых корпусов включают в себя схемы коррекции коэффициента мощности (PFC) в кондиционерах воздуха, бесперебойные источники питания (UPS) и конверторы мощности для приводов.

Широко распространенные дискретные корпуса, такие как FullPAKs или стандартные TO корпуса, используемые с изоляционным материалом для установки на радиатор, дороги и трудоемки при монтаже в процессе производства. Кроме того они имеют ограничения по рассеиванию тепла, необходимого мощным IGBT транзисторам последнего поколения. Корпуса TRENCHSTOP Advanced Isolation с тем же посадочным размером, что и стандартный TO-247, - изолированы на 100%, при этом в них не используются изоляционные пленки или теплопроводная паста. Благодаря эффективной и однородной тепловой связи между IGBT кристаллом и теплоотводом, новые корпуса обладают большей мощностью рассеивания. Это повышает надежность и уменьшает стоимость разработки и производства.


Источник: ЭФО

Оставить комментарий