Электронные компоненты №8/2009

фото
В номере:
  • Электромагнитные помехи
  • Резонансный DC/DC-преобразователь большой мощности с широким диапазоном изменения нагрузки
  • Характеристики производительности микроконтроллеров на базе ядра ARM Cortex-M3

Электромагнитные помехи
В статье рассмотрены кондуктивные электромагнитные помехи и радиопомехи, возникающие при работе электронного оборудования. Описаны механизмы их возникновения. В некоторых случаях приведены расчетные соотношения, позволяющие определить параметры цепей защиты от помех. Даны практические рекомендации по уменьшению электромагнитных помех.

Резонансный DC/DC-преобразователь большой мощности с широким диапазоном изменения нагрузки

Новая топология преобразователя, которая совмещает преимущества преобразователя с ШИМ-управлением, функционирующего на фиксированной рабочей частоте, и преобразователя с переменной рабочей частотой. Приведены схемы и временные диаграммы работы.

Характеристики производительности микроконтроллеров на базе ядра ARM Cortex-M3
В 2006 г. компания ARM представила на рынке новое процессорное ядро Cortex-M3, которое пришло на замену более старого ядра — ARM7TDMI. Такие разработчики микроконтроллеров (МК) как STMicroelectronics, NXP, Texas Instruments и др. приобрели лицензию на это ядро и наладили серийный выпуск МК на его базе. В 2008 г. лицензию на данное ядро приобрела и российская компания ЗАО «ПКК Миландр», запланировавшая к выпуску отечественную линейку МК серии 1986ВЕ91 для аппаратуры специального назначения. В статье рассматриваются показатели производительности МК различных вендоров, но с одним общим процессорным ядром.

Анонсы других номеров
2017:
№1
№2
№3
№4
№5
2016:
№1
№2
№3
№4
№5
№6
№7
№8
№9
№10
№11
№12
2015:
№1
№2
№3
№4
№5
№6
№7
№8
№9
№10
№11
№12
2014:
№1
№2
№3
№4
№5
№6
№7
№8
№10
№11
2013:
№1
№2
№3
№4
№5
№6
№7
№8
№9
№10
№11
№12
2012:
№1
№2
№3
№4
№5
№6
№7
№8
№9
№10
№11
№12
2011:
№1
№2
№3
№4
№5
№6
№7
№8
№9
№10
№11
№12
2010:
№1
№2
№3
№4
№5
№6
№7
№8
№9
№10
№11
№12
2009:
№1
№2
№3
№4
№5
№6
№7
№8
№9
№10
№11
№12